- 中芯国际火速回A，最快8月报会注册！直追国际先进工艺，产业链国产替代化加速
- 2020年06月02日来源：证券时报
提要：中芯国际本次拟发行不超过16.86亿股新股，预计募资200亿元，计划分别投入中芯南方正在进行的12英寸芯片SN1项目（80亿元），先进及成熟工艺研发项目储备资金（40亿元），补充流动资金（80亿元）。
内地芯片制造龙头中芯国际的科创板IPO正火速推进。
在宣布回归A股不到一个月，6月1日晚间，中芯国际便出现在了上交所科创板的受理企业名单之列。当晚招股书披露，中芯国际本次拟发行不超过16.86亿股新股，预计募资200亿元，计划分别投入中芯南方正在进行的12英寸芯片SN1项目（80亿元），先进及成熟工艺研发项目储备资金（40亿元），补充流动资金（80亿元）。就在5月15日，国家大基金二期与上海集成电路基金二期同意分别向中芯南方注资15亿美元、7.5亿美元，后者注册资本将增至65亿美元。中芯南方的“12英寸芯片SN1项目”规划月产能为3.5万片晶圆（工艺技术：14纳米及以下），目前已建成月产能6000片。该项目是中国大陆第一条FinFET工艺生产线，也是中芯国际14纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台。据记者观察，目前已上市的105家科创板企业，从受理到报会注册平均用时121天，其中速度最快的是中国通号，仅历时约72天。若以该效率计算，中芯国际最快或将于8月12日前后进入报会注册环节。而本次公司能否借科创板上市的“东风”加快先进制程上的追赶计划，受到各界关注。中芯国际是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆技术最先进、规模最大、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业，主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务。在逻辑工艺领域，中芯国际是中国大陆第一家实现14纳米FinFET量产的集成电路晶圆代工企业，代表中国大陆自主研发集成电路制造技术的最先进水平；在特色工艺领域，中芯国际陆续推出中国大陆最先进的24纳米 NAND、40纳米高性能图像传感器等特色工艺，与各领域的龙头公司合作，实现在特殊存储器、高性能图像传感器等细分市场的持续增长。
中芯国际港股走势图
财务数据显示，2017-2019年公司实现营业收入分别约为213.9亿元、230.17亿元、220.18亿元；同期对应实现归母净利润分别约为12.45亿元、7.47亿元、17.94亿元。2017-2019年中芯国际研发投入占营业收入的比例分别为16.72%、19.42%及21.55%。股东方面，截至2019年12月31日，中芯国际第一大股东大唐香港持股比例为17.00%，第二大股东鑫芯香港持股比例为15.76%，董事会现有14位董事，各股东提名的董事人数均低于董事总人数的二分之一，公司无控股股东和实际控制人。根据IC Insights公布的2018年纯晶圆代工行业全球市场销售额排名，全球排名前三的企业分别为台积电、格罗方德和联华电子，占有率分别为59%、11%和9%；中芯国际位居全球第四位，占有率为6%，在中国大陆企业中排名第一。
回看本次募集资金项目，其中80亿元将用于“12 英寸芯片 SN1 项目”，该项目的实施主体为中芯南方。据悉，“12 英寸芯片 SN1 项目”预计总投资90.59亿美元，规划月产能3.5万片，工艺技术水平为14纳米及以下，目前已建成月产能6000片，募集资金主要用于满足将该生产线的月产能扩充到3.5万片的部分资金需求。中芯国际认为，14纳米及以下先进工艺主要应用于5G、人工智能、智能驾驶、高速运算等新兴领域，未来发展前景广阔。本次募资中的40亿元则将用于公司先进及成熟工艺研发项目储备资金，其计划用于14纳米及以下的先进工艺与28纳米及以上的成熟工艺技术研发。据记者了解，当前，全球最先进的量产集成电路制造工艺已经达到7纳米至5纳米，3纳米技术则有望在2022年前后进入市场。在中美贸易摩擦背景下，业内最为关心的问题或许莫过于，被称为华为最强代工“备胎”的中芯国际，其技术水平与最先进的晶圆代工厂相比，还存在多少差距？如何助借科创板上市的“东风”加快追赶步伐？半导体业内人士认为，在集成电路晶圆代工领域，关键技术节点的量产能力是衡量企业技术实力的重要标准之一。例如，台积电的10nm（纳米）工艺于2016年量产，7nm量产时间是在2018年；格罗方德的12nm工艺同样于2018年实现量产；联华电子的14nm工艺量产时间为2017年；中芯国际的14nm技术则于2019年进入量产，与最先进晶圆厂仍存在着不小差距。
从最新技术进展看，招股书披露，在先进制程领域，中芯国际已连续多年投入FinFET工艺技术研发，目前公司第一代14纳米FinFET技术已进入量产阶段，第二代FinFET技术（又称N+1工艺技术）平台已进入客户导入阶段，并同步研发下一代先进工艺技术。业内对中芯国际上述新一代FinFET技术颇有期待。据长期关注中芯国际的投资者向记者介绍，中芯国际的N+1工艺技术，在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺较为相似，但区别在于性能方面，和14nm相比，N+1工艺性能提约20%，市场基准的（7nm工艺）性能提升应该是35%。按其理解，中芯国际对N+1的目标是低成本应用，可以将成本相对市场上的7nm减少大约10%，因此是一个非常特殊的工艺节点，但因为性能上的差距，尚不能等同于7nm工艺。对于上述性能比较，中芯国际相关人士回应记者时称：相关工艺性能数据要在量产时才会宣布，建议以最后官方内容为准。尽管要迎头赶上世界最先进工艺仍有待时日，但机构仍表达看好之情。中信建投在近日研报中指出，中芯国际14nm市场需求景气向上，带来更广阔市场空间。同时，由于突破FinFET工艺，“N+1”“N+2”代先进工艺推进有望超出预期，中芯国际在先进制程节点不断突破，缩小与国际先进大厂的差距；看好大陆半导体产业链转移给公司带来的机会。
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